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名称
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专利类别
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申请号/登记号
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申请人
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申请日
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状态
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纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法
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发明专利
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CN201210329426.2
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韦文生
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2012年9月7日
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公开
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本发明公开了一种纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法，包括单晶碳化硅(4H-SiC)基片、分别沉积于4H-SiC基片两侧的数纳米nc-Si超薄层、P和N型梯度掺杂多层nc-SiC薄膜(4H-SiC型)、沉积于外层nc-SiC薄膜上的合金欧姆电极，所述梯度掺杂nc-SiC多层膜、4H-SiC基片与合金欧姆电极构成电极/nc-SiC/4H-SiC/nc-SiC/电极双缓变结构。本发明的有益效果是，比较过去其它方法制成的FRD，其反向击穿电压提高了约500V，增强了耐压能力；反向恢复时间缩短至100nS，容易实现快速开关；反向恢复时浪涌电流非常小，减少了损耗和电磁干扰。